高级射频芯片设计工程师

招聘人数：8 人 到岗时间：1个月之内 婚况要求：不限婚况
职责描述：
1.MMIC产品开发；
主导设计团队进行GaAs、GaN、SiGe或SOI工艺PAModule、LNA、Switch、IPD等射频前端电路及模块的芯片设计；
2.主导RF器件电路原理图设计、版图设计、后仿真和封装仿真设计验证；
3.组织方案评估及制订产品开发计划
4.解决应用问题及性能演进；
5.组织芯片的测试、验证、调试工作。
任职要求：
1、电子工程相关专业硕士及5年以上射频/微波集成电路设计经验；
2、丰富的GaN/GaAs/SOI/SiGe射频功率放大器、射频前端设计经验者优先；
3、熟悉射频/微波集成电路版图设计、射频基板和封装设计优先；
4、具有独立或带领团队完成量产的经验；
5、对大信号设计流程和方法有深刻理解；
6、具有较强的解决问题的能力和经验；
7、熟练使用Cadence、ADS等EDA设计工具；
熟悉后端仿真验证；
熟练使用EM仿真工具；
8、熟练使用主要射频及微波测试仪器；