射频芯片设计工程师

招聘人数：7 人 到岗时间：1个月之内 婚况要求：不限婚况
1、在团队领导的带领下，共同完成公司的产品开发任务，并积极完成领导分配的任务；
2、参与多种硅基、第三代半导体的射频电路和系统的设计；
3、参与射频集成电路产品的设计研发，主攻宽频高功率固态放大器和射频前端模组，复杂射频前端模组的研发设计，同时参与研发低噪声放大器、开关、衰减器、移相器等有源产品的设计调试；
4、参与射频集成电路封装模组的总体设计；
5、参与射频集成电路封装模组调试和测试；
6、协助完成设计文档的撰写。
任职要求：
1、电磁场与微波、微电子、电子工程类硕士及以上学历（经验丰富者条件可放宽）；
2、具有射频IC设计与测试、流片经验者优先；
3、了解射频前端模组的设计流程，包括功率放大器，低噪声放大器，射频开关，射频匹配及功率合成等；
4、至少熟知一种或多种电路和EM设计仿真工具，包括HFSS/SONET，ADS，Cadence等进行电路或电磁场仿真；
5、了解射频IC测试系统，包括网络分析仪、频谱仪、信号源，熟悉各种有源、无源电路和器件的测试流程；
6、良好的英语能力；
优秀的团队合作精神及技术创新能力。