招聘人数:10 人
到岗时间:1个月之内
婚况要求:不限婚况
作为一个研发岗位,从事硅基氮化镓芯片工艺技术的开发,实现新型的氮化镓功率器件。职责描述:与器件工程师相配合,通过合理的工艺实现硅上GaN电子器件;
参与至少如下部分工艺流程:光刻、薄膜、热处理、干刻、湿刻、减薄、CMP、电镀等,可以负责其中部分工艺或模块;
分析器件性能与工艺流程的关系,优化工艺与器件性能;
任职要求:要求具有3年以上的GaNLED或集成电路工艺经验,从事过上述部分工艺流程;
要求应聘者有深入的研究精神和自我驱动力,敢于创新;
有很好的材料学、电子学、化学或物理学背景,能深入分析并解决问题;
有利用统计学工具分析数据能力的更佳;
有很好的学习能力和团队合作精神;
良好的职业操守,包括保守公司的机密与维护公司的权益等;
求职提醒:求职过程请勿缴纳费用,谨防诈骗!若信息不实请举报。