高级/资深功率芯片开发工程师

招聘人数：6 人 到岗时间：1个月之内 婚况要求：不限婚况
岗位职责：
1.负责公司第三代半导体（GaN、SiC）或硅基（SGT、TrenchMOS等）功率芯片的仿真设计以及工艺开发;
2.完成公司在第三代半导体功率器件方向相关知识产权的布局，如建立标准，申报科技项目，申请专利，发表论文等;
3.与代工厂配合，完善公司第三代半导体功率器件芯片相关的DesignRule以及设计的CheckList;
4.协同进行流片后的器件测试以及moｄｅｌcard萃取拟合工作，配合进行流片过程中发生的Issue解析rootcause分析;
任职要求：
1.微电子、凝聚态物理、材料等相关专业毕业;
2.熟练使用半导体器件仿真设计（TCAD）软件，如Silvaco、Sentaurus或类似功能的相关软件;
3.熟悉硅基功率半导体制程工艺或第三代半导体制程工艺，博士课题为相关方向;
4.具备MaskLayout设计经验，了解常见绘图软件，如：LEDIT、Virtuoso、华大九天Aether/Argus等;
5.具备基础的电路分析技能，能够在电源团队的进行功率器件规格及开发方向规划;